iPhone 7閃存技術(shù)升級？提升速度與容量
盡管蘋果下一代iPhone 6s和iPhone 6s Plus還未正式發(fā)布，但是關(guān)于這兩款新機(jī)的傳聞卻不斷的傳出。雖然iPhone的設(shè)計(jì)由蘋果完全負(fù)責(zé)，但是與眾多零部件供應(yīng)商的合作也是盡人皆知的事情。比如三星作為蘋果的死對頭，雖然之前各種打官司，但是依然沒有妨礙三星始終作為蘋果的主要供應(yīng)商之一。
幾天之前，SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存，而根據(jù)最新的消息來看，這種新閃存將很有可能被應(yīng)用到蘋果將在2016年推出的iPhone 7身上，帶來更快、更大的存儲速度和空間。
兩家存儲巨頭開發(fā)出的世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術(shù)，容量為32GB。簡單地說，這種32GB的閃存模塊無論是在速度還是效率上，都要超過任何現(xiàn)有的產(chǎn)品。目前，這種256Gbit X3芯片采用了15nm的工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，而能耗將進(jìn)一步降低。并且，因?yàn)椴捎昧?D堆棧技術(shù)，新芯片的面積將縮小，非常適合智能手機(jī)、平板電腦之類的設(shè)備。
擁有如此優(yōu)秀的供應(yīng)商，蘋果當(dāng)然不會輕易放棄。況且之前蘋果與SanDisk、東芝已經(jīng)建立了合作伙伴關(guān)系，因此我們有理由相信蘋果會在第一時間為自己的產(chǎn)品使用這種最新的閃存技術(shù)。
目前，SanDisk和東芝已經(jīng)完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一階段的供貨，而隨著新閃存技術(shù)的問世，我們將會在iPhone 7上看到兩家公司的新成果，同時未來的iPhone 7在存儲能力和數(shù)據(jù)傳輸速度上，也將大幅提升。
