2016-11-18 14:22:14
高效能超快充電速度 10nm制程驍龍835發(fā)布
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【rom之家資訊】高通剛剛公布了下一代旗艦SoC的相關(guān)信息，跨過830，直接命名為驍龍835。這顆芯片采用了三星10nm FinFET工藝，支持全新升級的QC 4.0快充技術(shù)，要比上一代快上20%。
采用了三星10nm工藝的驍龍835處理器體積比上代縮小30%，同時還會有40%的功耗降低和27%的性能提升。這樣一顆芯片不僅僅是高通芯片技術(shù)的成就，同樣也是三星芯片代工業(yè)務(wù)的里程碑。
由于當下驍龍旗艦系列處理器的性能實際上已經(jīng)有一定的溢出，所以相比起性能的提升，驍龍835所支持的QC 4.0快充技術(shù)更加引人注目：它能夠讓手機在15分鐘內(nèi)充電超過50%，這就意味著碎片化的充電更具效率，能夠明顯提升手機的整體續(xù)航。
從去年的例子，以及高通與三星的這一次密切合作看來，明年首發(fā)驍龍835芯片的機型很有可能就是三星Galaxy S8手機。而雖然目前高通并沒有公布驍龍835的具體規(guī)格，但高通表示這顆芯片將會在2017年上半年正式上市。哪一家能夠拿到這顆芯片，那么至少從性能上說，基本上就可以算是2017年的Android旗艦了。
